SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А

SI4559ADY-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

221.09 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
125+
250+
500+
1000+
2500+
Цена
221.09 ₽
211.73 ₽
187.07 ₽
179.42 ₽
174.32 ₽
168.37 ₽
159.01 ₽
151.36 ₽
146.26 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А" 5.

Артикул производителя
SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
20/22нC
Код производителя
SI4559ADY-T1-GE3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60/-60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2/2,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
58/120мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
4,3/-3,2А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России