SI4564DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А

SI4564DY-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI4564DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А" 1.

Артикул производителя
SI4564DY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
31/63нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±16В, ±20В
Напряжение сток-исток
40/-40В
Обозначение производителя
SI4564DY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2/2,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
17,5/21мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
8/-7,4А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены