Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
86нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI4825DDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-14,9А
Ток стока в импульсном режиме
-60А
Отзывы не найдены