Москва
 +7(993)080-09-37

SI4825DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -14,9А; Idm: -60А

Написать отзыв
SI4825DDY-T1-GE3
228.29 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
180.39 ₽
157.19 ₽
113.02 ₽
98.80 ₽
74.85 ₽
71.86 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4825DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -14,9А; Idm: -60А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI4825DDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
86нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI4825DDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-14,9А
Ток стока в импульсном режиме
-60А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России