SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8

SI4925DDY-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

264.46 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
2500+
Цена
182.82 ₽
133.50 ₽
116.50 ₽
85.03 ₽
77.38 ₽
73.98 ₽
Доступность: 812 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
50нC
Код производителя
SI4925DDY-T1-GE3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-5,9А

Отзывы не найдены

Описание (si4925ddy-t1-ge3.pdf, 240 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России