Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А

Написать отзыв
SI4936CDY-T1-GE3
12676 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
Цена
84.51 ₽
73.06 ₽
58.10 ₽
Доступность: 1450 шт.

Срок поставки 6 недель

+ −

Минимальное количество для товара "SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI4936CDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
4,6А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены