SI4943BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8,4А; 2Вт; SO8

SI4943BDY-T1-E3
Свяжитесь с нами насчёт цены
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4943BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8,4А; 2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4943BDY-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
25нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI4943BDY-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-8,4А
Ток стока в импульсном режиме
-30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены