SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8

SI4963BDY-T1-E3

Срок поставки 4-6 недель

260.20 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
2500+
Цена
237.24 ₽
198.13 ₽
179.42 ₽
166.67 ₽
157.31 ₽
142.01 ₽
134.35 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4963BDY-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21нC
Код производителя
SI4963BDY-T1-E3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-6,5А
Ток стока в импульсном режиме
-40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России