SI4963BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8

SI4963BDY-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4963BDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI4963BDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-6,5А
Ток стока в импульсном режиме
-40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены