SI5403DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -20А; 3,3Вт; ChipFET

SI5403DC-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI5403DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -20А; 3,3Вт; ChipFET" 1.

Артикул производителя
SI5403DC-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
42нC
Корпус
ChipFET
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI5403DC-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-6А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены