SI5515CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт

SI5515CDC-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI5515CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт" 1.

Артикул производителя
SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11/11,3нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20/-20В
Обозначение производителя
SI5515CDC-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
156/50мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
4/-4А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены