Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SI5935CDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А

Написать отзыв
SI5935CDC-T1-E3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI5935CDC-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11нC
Код производителя
SI5935CDC-T1-E3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
156мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4А
Ток стока в импульсном режиме
-10А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России