SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET

SI5935CDC-T1-GE3
8712 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
74.81 ₽
63.45 ₽
58.71 ₽
53.03 ₽
49.24 ₽
48.30 ₽
46.40 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

Артикул производителя
SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11нC
Корпус
ChipFET
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI5935CDC-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-4А
Ток стока в импульсном режиме
-10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены