Москва
 +7(993)080-09-37

SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET

Написать отзыв
SI5935CDC-T1-GE3
129.15 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
87.61 ₽
61.93 ₽
53.63 ₽
46.83 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11нC
Корпус
ChipFET
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI5935CDC-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-4А
Ток стока в импульсном режиме
-10А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (si5935cdc.pdf, 248 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России