SI6562CDQ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,2/-4,9А

SI6562CDQ-T1-GE3
Свяжитесь с нами насчёт цены
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI6562CDQ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,2/-4,9А" 1.

Артикул производителя
SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
23/51нC
Корпус
TSSOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
20/-20В
Обозначение производителя
SI6562CDQ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1/1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
22/30мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
4,2/-4,9А
Ток стока в импульсном режиме
30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены