Москва
 +7(993)080-09-37

SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А

Написать отзыв
SI6926ADQ-T1-GE3
113.29 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
3000+
9000+
Цена
101.96 ₽
89.88 ₽
80.82 ₽
75.53 ₽
72.51 ₽
70.24 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI6926ADQ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10,5нC
Корпус
TSSOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI6926ADQ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
4,5А
Ток стока в импульсном режиме
20А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России