SI7113ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -10,8А; Idm: -20А; 17,8Вт

SI7113ADN-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7113ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -10,8А; Idm: -20А; 17,8Вт" 1.

Артикул производителя
SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
16,5нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-100В
Обозначение производителя
SI7113ADN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
17,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
132мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-10,8А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены