SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт

SI7113DN-T1-GE3
29261 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
242.42 ₽
216.86 ₽
186.55 ₽
173.30 ₽
160.98 ₽
155.30 ₽
149.62 ₽
Доступность: 2563 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт" 1.

Артикул производителя
SI7113DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
55нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-100В
Обозначение производителя
SI7113DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,134Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3,5А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены