SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт

SI7113DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

308.67 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
255.95 ₽
230.44 ₽
198.13 ₽
183.67 ₽
170.07 ₽
162.41 ₽
159.01 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт" 1.

Артикул производителя
SI7113DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
55нC
Код производителя
SI7113DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-100В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,134Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3,5А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России