Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SI7117DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,17А; 12,5Вт

Написать отзыв
SI7117DN-T1-GE3
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7117DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,17А; 12,5Вт" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI7117DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-150В
Обозначение производителя
SI7117DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
12,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,3Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,17А
Ток стока в импульсном режиме
-2,2А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены