SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт

SI7119DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

291.67 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
Цена
200.68 ₽
145.41 ₽
127.55 ₽
109.69 ₽
106.29 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт" 1.

Артикул производителя
SI7119DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
25нC
Код производителя
SI7119DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-200В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,05Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-1,2А
Ток стока в импульсном режиме
-5А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России