SI7153DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -100А

SI7153DN-T1-GE3
‍151‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
98 ₽
65 ₽
51 ₽
47 ₽
45 ₽
Доступность: 2741 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI7153DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -100А" 1.

Артикул производителя
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
62нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI7153DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
52Вт
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-18А
Ток стока в импульсном режиме
-100А

Отзывы не найдены

Описание (si7153dn.pdf, 586 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены