SI7155DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -100А; Idm: -200А

SI7155DP-T1-GE3
‍299‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
Цена
265 ₽
241 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI7155DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -100А; Idm: -200А" 1.

Артикул производителя
SI7155DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
330нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SI7155DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
104Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-100А
Ток стока в импульсном режиме
-200А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены