SI7216DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А

SI7216DN-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI7216DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А" 1.

Артикул производителя
SI7216DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
19нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SI7216DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
20,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены