SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А

SI7288DP-T1-GE3
‍263‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
250+
500+
Цена
228 ₽
211 ₽
166 ₽
151 ₽
134 ₽
127 ₽
Доступность: 2349 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А" 1.

Артикул производителя
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
15нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SI7288DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
15,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
20А
Ток стока в импульсном режиме
50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены