SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А

SI7288DP-T1-GE3
27083 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
198.86 ₽
182.77 ₽
175.19 ₽
157.20 ₽
144.89 ₽
141.10 ₽
135.42 ₽
Доступность: 2725 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А" 1.

Артикул производителя
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
15нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SI7288DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
15,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
20А
Ток стока в импульсном режиме
50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены