Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SI7309DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -8А; Idm: -20А

Написать отзыв
SI7309DN-T1-GE3
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7309DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -8А; Idm: -20А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI7309DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
22нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Обозначение производителя
SI7309DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
19,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
146мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-8А
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены