SI7317DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -2А

SI7317DN-T1-GE3
18750 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
Цена
157.20 ₽
142.05 ₽
131.63 ₽
125.00 ₽
114.58 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7317DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -2А" 1.

Артикул производителя
SI7317DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9,8нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
-150В
Обозначение производителя
SI7317DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
19,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,3Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,8А
Ток стока в импульсном режиме
-2А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены