Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SI7317DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -2А

Написать отзыв
SI7317DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
194.73 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
9000+
Цена
163.27 ₽
147.11 ₽
136.05 ₽
130.10 ₽
116.50 ₽
108.84 ₽
105.44 ₽
101.19 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7317DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -2А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI7317DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9,8нC
Код производителя
SI7317DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
-150В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
19,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,3Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,8А
Ток стока в импульсном режиме
-2А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России