Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SI7613DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -60А

Написать отзыв
SI7613DN-T1-GE3
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7613DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -60А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI7613DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
87нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±16В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI7613DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
52,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-35А
Ток стока в импульсном режиме
-60А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены