SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт

SI7617DN-T1-GE3
16288 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
131.63 ₽
123.11 ₽
110.80 ₽
107.01 ₽
103.22 ₽
99.43 ₽
96.59 ₽
Доступность: 2790 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт" 1.

Артикул производителя
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
59нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI7617DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,3мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-13,9А
Ток стока в импульсном режиме
-60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены