Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А

Написать отзыв
SI7629DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
209.18 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
3000+
Цена
188.78 ₽
166.67 ₽
149.66 ₽
134.35 ₽
129.25 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI7629DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
177нC
Код производителя
SI7629DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
52Вт
Сопротивление в открытом состоянии
11,7мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-35А
Ток стока в импульсном режиме
-80А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России