SI7850DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,2А; Idm: 40А; 0,9Вт

SI7850DP-T1-GE3
398.42 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
1500+
3000+
Цена
324.11 ₽
289.33 ₽
219.76 ₽
197.63 ₽
173.91 ₽
159.68 ₽
148.62 ₽
142.29 ₽
132.81 ₽
Доступность: 2947 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI7850DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,2А; Idm: 40А; 0,9Вт" 1.

Артикул производителя
SI7850DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
27нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SI7850DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
6,2А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены