Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SI7913DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,4А; 2,8Вт

Написать отзыв
SI7913DN-T1-GE3
000 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SI7913DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,4А; 2,8Вт" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI7913DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
24нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI7913DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
66мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-7,4А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены