SI7938DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А

SI7938DP-T1-GE3
264.03 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
Цена
189.72 ₽
172.33 ₽
147.04 ₽
143.87 ₽
Доступность: 2814 шт.

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI7938DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А" 1.

Артикул производителя
SI7938DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
65нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SI7938DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
46Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
80А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены