SI7949DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А

SI7949DP-T1-E3
0.00 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI7949DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А" 1.

Артикул производителя
SI7949DP-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
40нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Обозначение производителя
SI7949DP-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-5А
Ток стока в импульсном режиме
-25А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены