Москва
 +7(993)080-09-37

SI7997DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт

Написать отзыв
SI7997DP-T1-GE3
465.26 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
Цена
370.85 ₽
327.04 ₽
240.94 ₽
214.50 ₽
199.40 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI7997DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI7997DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
160нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI7997DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
46Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7,8мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-60А
Ток стока в импульсном режиме
-100А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России