SI8409DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,3А; Idm: -25А

SI8409DB-T1-E1
Свяжитесь с нами насчёт цены
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI8409DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,3А; Idm: -25А" 1.

Артикул производителя
SI8409DB-T1-E1 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
26нC
Корпус
MICROFOOT® 1.6x1.6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI8409DB-T1-E1
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,77Вт
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-6,3А
Ток стока в импульсном режиме
-25А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены