Москва
 +7(993)080-09-37

SI8429DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -11,7А; Idm: -25А

Написать отзыв
SI8429DB-T1-E1
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI8429DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -11,7А; Idm: -25А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI8429DB-T1-E1 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
32нC
Корпус
MICROFOOT® 1.6x1.6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±5В
Напряжение сток-исток
-8В
Обозначение производителя
SI8429DB-T1-E1
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
6,25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
98мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-11,7А
Ток стока в импульсном режиме
-25А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены