Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SI8457DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -10,2А; Idm: -25А

Написать отзыв
SI8457DB-T1-E1

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI8457DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -10,2А; Idm: -25А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI8457DB-T1-E1 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
93нC
Код производителя
SI8457DB-T1-E1
Корпус
MICROFOOT® 1.6x1.6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-12В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-10,2А
Ток стока в импульсном режиме
-25А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России