Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SI8481DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,7А; Idm: -30А

Написать отзыв
SI8481DB-T1-E1
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI8481DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,7А; Idm: -30А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI8481DB-T1-E1 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
81нC
Корпус
MICROFOOT® 1.6x1.6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI8481DB-T1-E1
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-9,7А
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены