Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
19нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI8817DB-T2-E1
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,9А
Ток стока в импульсном режиме
-15А
Отзывы не найдены