SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8

SI9407BDY-E3

Срок поставки 4-6 недель

302.72 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
2500+
5000+
Цена
209.18 ₽
153.91 ₽
134.35 ₽
112.24 ₽
97.79 ₽
85.03 ₽
72.28 ₽
70.58 ₽
Доступность: 2694 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
22нC
Код производителя
SI9407BDY-T1-GE3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,6А

Отзывы не найдены

Описание (si9407bd.pdf, 201 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России