SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А

SI9407BDY-T1-GE3
‍263‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
2500+
5000+
7500+
Цена
175 ₽
134 ₽
121 ₽
94 ₽
85 ₽
75 ₽
68 ₽
65 ₽
Доступность: 2080 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
22нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Обозначение производителя
SI9407BDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4,7А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены