Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А

Написать отзыв
SI9407BDY-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
290.82 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
1000+
2500+
Цена
227.89 ₽
200.68 ₽
147.11 ₽
128.40 ₽
93.54 ₽
81.63 ₽
74.83 ₽
Доступность: 1848 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
22нC
Код производителя
SI9407BDY-T1-GE3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4,7А
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России