SI9926CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8

SI9926CDY-T1-GE3
230.23 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
2500+
5000+
7500+
Цена
155.81 ₽
113.18 ₽
100.00 ₽
91.47 ₽
82.95 ₽
73.64 ₽
66.67 ₽
63.57 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
33нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI9926CDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены