SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8

SI9933CDY-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

175.17 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
119.90 ₽
84.18 ₽
72.28 ₽
62.07 ₽
Доступность: 2621 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8нC
Код производителя
SI9933CDY-T1-GE3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4А

Отзывы не найдены

Описание (si9933cdy.pdf, 1 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России