SIA112LDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 8,8А; Idm: 10А

SIA112LDJ-T1-GE3
63.24 
Оптовые цены:
Кол-во
6000+
Цена
63.24 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIA112LDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 8,8А; Idm: 10А" 6000.

Артикул производителя
SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11,8нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SIA112LDJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
15,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
135мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
8,8А
Ток стока в импульсном режиме
10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены