SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А

SIA4265EDJ-T1-GE3
3220 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
32.20 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SIA4265EDJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SIA4265EDJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
15,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
67,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-9А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены