Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А

Написать отзыв
SIA433EDJ-T1-GE3
7670 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
76.70 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
75нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SIA433EDJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
19Вт
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-12А
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены