SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А

SIA441DJ-T1-GE3
147.46 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
100.30 ₽
71.11 ₽
61.38 ₽
44.91 ₽
42.66 ₽
Доступность: 2715 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А" 1.

Артикул производителя
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
35нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SIA441DJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
19Вт
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-12А
Ток стока в импульсном режиме
-30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России